Tak Mau laha: トランスフォームの戦略的パートナーの安川電機が1560万ドルの負債をトランスフォームの普通株式に1株当たり5ドルで転換：時事ドットコム

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Oct. 10, 2021 17:41 UTC

- 両社はサーボおよび産業用モータードライブでの強力な製品開発パートナーシップを継続 -

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)-- （ビジネスワイヤ） -- 高信頼性高性能窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（OTCQX：TGAN）は本日、安川電機が1560万ドルのトランスフォームの転換社債をすべてトランスフォームの普通株式に1株当たり5ドルで転換したと発表しました。安川電機は、低電圧・中電圧の可変周波数ドライブ、サーボモーター、マシンコントローラー、産業用ロボットの世界をリードするメーカーであり、年間売上高は37億ドルを超えています。

トランスフォームと安川電機は、GaN製品の開発に関して以前発表された複数年パートナーシップでの協力を継続していきます。これは、ロボットやモーションコントロールのためのサーボドライブや、幅広い産業アプリケーションや白物アプリケーションを対象としています。安川電機は、トランスフォームの先進的なGaNパワーデバイス製品を多様な革新的な産業用電力変換アプリケーションで使用していく予定であり、当初はサーボモーターや可変周波数ドライブのアプリケーションに使用されることが考えられています。

この発表に関して、安川電機の常務執行役員技術開発本部長の熊谷彰氏は、このように述べています。「当社は、トランスフォームの株主になることをうれしく思います。私たちは、いろいろなモーションコントロールの用途に適した高信頼性・高電力のGaN製品の開発で協力関係を継続していきます。トランスフォームのGaN FETソリューションによって可能になる高周波数・高効率のGaNパワーデバイスとモジュールは、短絡保護機能のような厳しいシステム要件にも対応します。」

トランスフォームの共同創立者でCTOのUmesh Mishraは、このように語りました。「トランスフォームは、安川電機との長期的関係を高く評価しています。安川電機のようなモーションコントロールとロボット工学の世界的リーダーに戦略的株主として加わっていただくことを、うれしく思います。私たちは、1560万ドルのトランスフォームの債券を1株当たり5ドルでトランスフォームの株式に転換することで示していただいた安川電機の信頼に感謝しています。安川電機からは、今後もトランスフォームのGaNロードマップの主要な開発を形成する上で支援をいただき、工業およびモーターコントロールの市場のための高性能パワーデバイスが実現していきます。」

また、推定公正市場価値に基づけば、トランスフォームの債券の転換により、トランスフォームのバランスシートの株主資本は1700万ドル以上増加します。この投資の後、安川電機は、トランスフォーム株式を約310万株保有することになり、これは当社の持ち分の約7%に相当します。

共同創立者で社長のPrimit Parikhは、このように述べています。「この資本転換は当社のバランスシートを大きく強化し、当社が以前発表したNASDAQに普通株式を上場する計画の実行に大きく貢献します。これはまた、トランスフォームの先進的な高電圧GaNプラットフォームの力強さを確認するものであり、45ワットから10キロワットにわたる用途の製品が高水準の品質と信頼性で用意されています。これまで当社は、これほど広い範囲の電力レベルや用途に対応して実際に製造態勢にある競合GaNプラットフォームを目にしたことがなく、『IC』など、GaNによるほかの既存の商品の多くは一般的に500ワット未満に限定されています。」

TGAN技術が市場の力に

トランスフォームが特許を有するGaNプラットフォームは、45ワットの急速充電器やアダプターから1～4キロワットのゲーミングやデータセンターのサーバーや暗号マイニングの電源、さらに高電力の産業アプリケーション、UPS、自動車用コンバーターやインバーターのアプリケーションなど、電力変換アプリケーションのパフォーマンス要件にとって重要な形で競合ソリューションと差別化されています。トランスフォームは、垂直統合されている数少ない高電圧GaNメーカーの1社として、FET設計自体、エピタキシャル出発原料、製造プロセスの技術革新と発展で支配的立場にあります。それが次のような結果を生んでいます。

低電力アダプターと急速充電器における採用の増加：コンパクトなPQFNパッケージのSuperGaN^®第4世代プラットフォームの出荷数量は、2020年7月から2021年6月までに四半期で年間平均（CAGR）200%の増加を示しました。このプラットフォームは、実証された優れたGaNデバイス性能を提供し、ドライバーが既に統合されている標準コントローラーとの互換性を持ち、トランスフォームのGaN FETは、eモードや「IC」のようなその他のGaN製品では容易に提供できない最も包括的な設計とドライブの柔軟性を提供できます。他の製品では、追加の冗長なドライバーやインターフェース回路が必要です。
ゲーミング、サーバー、暗号マイニング、産業およびエネルギー用途での高電力製品：トランスフォームの第3世代の立ち上げおよびSuperGaN第4世代と第5世代をベースとした製品の出荷（熱設計に優れたTO-247パッケージ）は、評判が高く広く使用されているパッケージ構成となっています。トランスフォームのGaNと顧客ソリューション（チタン効率定格電源など）は、既に何年も前からこの分野で標準となってきました。この頑健なパッケージング構成は現在、eモードでも「IC」のGaNでも実現できません。それは、それぞれのGaNデバイスが標準的なリードフレーム・パッケージ内で損傷しやすい性質を持っているからです。
クラス最高の品質＋信頼性と大量安定生産性：トランスフォームのFETの200億時間を超える実用信頼性データでは、FITが0.4未満となり、実用環境での故障率が10億時間に1回未満であることが示されています。AFSWウエハファブ内でコントロールされたトランスフォーム独自の製造プロセスは、同じウエハファブ内のシリコン収率に匹敵する大量生産収率を達成しています。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。

将来見通しに関する記述

このプレスリリースには、当社の技術および製品の提供、業界でのGaNの技術の受容、当社のパイプライン、今後期待される当社の成長に関する将来見通しに関する記述（1934年米国証券取引所法の第21E条（改正を含む）および1933年米国証券法の第27A条（改正を含む）の意味）が含まれています。将来見通しに関する記述は一般に、本質的に予測的であり、将来の出来事や条件に依存または言及する記述を含んでおり、「かもしれない」、「するつもりである」、「はずである」、「であろう」、「予測する」、「計画する」、「信じる」、「意図する」、「期待する」などの語句や、その他の類似表現を含みます。歴史的事実でない記述は将来見通しに関する記述です。将来見通しに関する記述は、リスクや不確実性の影響を受ける現在の見解や仮定に基づいており、今後の業績を保証するものではありません。実際の結果は、さまざまな要因の結果として、将来見通しに関する記述に含まれる内容と大きく異なる場合があります。これらの要因には、追加の資金需要や資本へのアクセス、競合、トランスフォームがその知的財産権を保護する能力、競争、米国証券取引委員会へ当社が提出した書類に記載されたその他のリスクなど、トランスフォームの事業に関連するリスクなどがあります。適用法で要求される場合を除き、当社は新しい情報、将来の出来事、その他の結果にかかわらず、いかなる将来見通しに関する記述についても修正ないし更新したり、その他の何らかの将来見通しに関する記述を行なったりする義務を負いません。

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